Pirmais Samsung nākamās flagmaņu sērijas bāzes modeļa rezultāts parādījās populārā Geekbench 5 etalona datubāzē Galaxy S23. Tālrunis ir apzīmēts ar SM-S911U, kas, domājams, ir tā ASV versija, un acīmredzot tika pārbaudīts ar Qualcomm nākamo vadošo mikroshēmu. Snapdragon 8 2. paaudze.
Galaxy S23 ieguva 1524 punktus viena kodola testā un 4597 punktus daudzkodolu testā. Salīdzinājumam: Galaxy S22 ar Snapdragon 8 Gen 1 mikroshēmu tas sasniedza aptuveni 1200 vai 3200 punkti, savukārt ierīces ar pašreizējo Qualcomm Snapdragon 8+ Gen 1 flagmaņa mikroshēmu parasti iegūst aptuveni 1300 vai 4200 punkti.
Fotogalerie
Arī tests to parāda Galaxy S23 būs 8 GB RAM (tāds pats kā Galaxy S22), ka to nepārsteidzoši darbinās programmatūra Android 13 un ka grafikas darbības apstrādās Adreno 740 mikroshēma (Snapdragon 8 Gen 1 un 8+ Gen 1 mikroshēmas izmanto Adreno 730).
Jūs varētu interesēt
Saskaņā ar līdzšinējām noplūdēm viņam tas būs Galaxy S23 nedaudz augstāks jaudu akumulators nekā priekšgājējam un (tāpat kā citiem sērijas modeļiem) praktiski tāds pats izmēri pat tāds pats displeja izmērs. Paredzams, ka seriāls tiks izlaists nākamā gada janvārī vai februārī.
Sērijas telefoni Galaxy Piemēram, jūs varat iegādāties S22 šeit
