Samsung jau kādu laiku ir mēģinājis panākt savu senāko konkurentu pusvadītāju ražošanas jomā Taivānas gigantu TSMC. Pagājušajā gadā tā pusvadītāju nodaļa Samsung Foundry paziņoja, ka šī gada vidū sāks ražot 3nm mikroshēmas un 2025.gadā. Tagad TSMC ir paziņojis arī par savu 2 un 3 nm mikroshēmu ražošanas plānu.
Fotogalerie
TSMC atklāja, ka šī gada otrajā pusē sāks savu pirmo 3nm mikroshēmu masveida ražošanu (izmantojot N3 tehnoloģiju). Paredzams, ka mikroshēmas, kas veidotas, izmantojot jauno 3 nm procesu, tiks izlaistas nākamā gada sākumā. Pusvadītāju koloss plāno sākt 2 nm mikroshēmu ražošanu 2025. gadā. Turklāt TSMC savām 2 nm mikroshēmām izmantos GAA FET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) tehnoloģiju. Arī Samsung to izmantos jau savām 3nm mikroshēmām, kuras tā sāks ražot vēlāk šogad. Paredzams, ka šī tehnoloģija ievērojami uzlabos energoefektivitāti.
Jūs varētu interesēt
TSMC progresīvos ražošanas procesus varētu izmantot tādi lielākie tehnoloģiju spēlētāji kā Apple, AMD, Nvidia vai MediaTek. Tomēr daži no viņiem varētu izmantot arī Samsung lietuves dažām savām mikroshēmām.
