Samsung šodien sāka savu jauno DDR3 DRAM moduļu masveida ražošanu, izmantojot 20 nanometru ražošanas procesu. Šo jauno moduļu ietilpība ir 4 Gb, t.i., 512 MB. Tomēr atsevišķu moduļu pieejamā atmiņa nav to galvenā iezīme. Progress slēpjas tieši jauna ražošanas procesa izmantošanā, kas nodrošina līdz pat 25% mazāku enerģijas patēriņu salīdzinājumā ar vecāku, 25 nanometru procesu.
Pāreja uz 20 nm tehnoloģiju ir arī pēdējais solis, kas atdala uzņēmumu no atmiņas moduļu ražošanas uzsākšanas, izmantojot 10 nm procesu. Šobrīd jaunajiem moduļiem izmantotā tehnoloģija ir arī vismodernākā tirgū, un to var izmantot ne tikai ar datoriem, bet arī ar mobilajām ierīcēm. Datoriem tas nozīmē, ka Samsung tagad spēj izveidot tāda paša izmēra mikroshēmas, bet ar ievērojami lielāku operatīvo atmiņu. Samsung arī bija jāmaina esošā tehnoloģija, lai varētu padarīt mikroshēmas mazākas, vienlaikus saglabājot pašreizējo ražošanas metodi.
- Jūs varētu interesēt: Samsung ir izstrādājis pirmo 8Gb LPDDR4 mobilo DRAM atmiņu
